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N0400P-E1-AY-VB TO-252 P溝道 -40V -65A mos管絲印微碧半導體
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製造商深圳市微碧半導體有限公司
分類場效電晶體(MOSFET)
價格2.05
品牌VBsemi\/微碧半導體
型號N0400P-E1-AY-VB
封裝TO-252
批號23+
FET類型增強型
漏源電壓(Vdss)-40V
漏極電流(Id)-65A
漏源導通電阻(RDS On)10mΩ@10V
柵源電壓(Vgs)±20V
柵極電荷(Qg)80nC
反向恢復時間\/
最大耗散功率136000
配置類型Single
工作溫度範圍-55℃~+175℃
安裝類型表面貼裝技術
應用領域新能源,家用電器,3C數碼,測量儀器,智能家居,網絡通信,安防設備,廣電教育,醫療電子,照明電子,可穿戴設備,物聯網IoT

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