Ngôn ngữ trình duyệt của bạn hiện đang là tiếng Việt. Bạn có muốn chuyển sang trang tiếng Việt không?Chuyển sang trang tiếng Việt
สร้างใหม่ CSD16406Q3 การจัดการระบบพลังงานของ VSONP8 สําหรับโครงการ MOSFET ผลกระทบของ Nร่อง
สร้างใหม่ CSD16406Q3 การจัดการระบบพลังงานของ VSONP8 สําหรับโครงการ MOSFET ผลกระทบของ Nร่อง
สร้างใหม่ CSD16406Q3 การจัดการระบบพลังงานของ VSONP8 สําหรับโครงการ MOSFET ผลกระทบของ Nร่อง
สร้างใหม่ CSD16406Q3 การจัดการระบบพลังงานของ VSONP8 สําหรับโครงการ MOSFET ผลกระทบของ Nร่อง

สร้างใหม่ CSD16406Q3 การจัดการระบบพลังงานของ VSONP8 สําหรับโครงการ MOSFET ผลกระทบของ Nร่อง

ผู้ผลิตเมือง เฉินเชิน เมือง เชน
การจำแนกประเภทField effect tube (MOSFET)
ราคา3.1
แบรนด์เทกซัส
รุ่นCSD16406Q3
ประเภทรั้วกันน้ํา (MOSFET)
ชนิดกระดาษช่อง "N"
โหมดการส่งเพิ่มขนาด
วัตถุประสงค์แก้ไขโครงการหลัก...
เพิ่มขนาดรูปร่างSMD( SOO) / ปกปกหน้า
วัตถุต่าง ๆGE-N-FETHN รางเลื่อน
จะส่งออกแหล่งของสินค้าข้ามพรมแดนเฉพาะหรือไม่ใช่
สินค้า888
หมายเลขชุด2023
คลุมVSONP8

การแสดงสินค้า

ติดต่อเรา

ขอแสดงความยินดีกับการได้รับเลือกให้อยู่ในรายชื่อซัพพลายเออร์คุณภาพ 1688

จำกัด 100 ท่านต่อวัน นับถอยหลัง 0 ชม. เหลืออีก 0 ที่

รับเลยตอนนี้