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制造商 | 深圳市微碧半导体有限公司 |
分类 | 场效应管(MOSFET) |
价格 | ¥1.82 |
品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
型号 | 3N50L-TF3-T |
封装 | TO-220F |
批号 | 23+ |
FET类型 | 增强型 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
漏极电流(Id) | 4A |
漏源导通电阻(RDS On) | 2560mΩ@10V |
栅源电压(Vgs) | ±20V |
栅极电荷(Qg) | 48nC |
反向恢复时间 | / |
最大耗散功率 | 30000 |
配置类型 | Single |
工作温度范围 | -55℃~+150℃ |
安装类型 | 表面贴装技术 |
应用领域 | 新能源,家用电器,3C数码,测量仪器,智能家居,网络通信,安防设备,广电教育,医疗电子,照明电子,可穿戴设备,物联网IoT |